研究・制作業績システム - 小林　信一

コバヤシ　シンイチ KOBAYASHI Shin-ichi
小林　信一

所属東京工芸大学工学部工学科　電気電子コース

職名教授

学会発表
2025/11/17	Growth of Vertically Oriented Ge Wires on Quartz Substrate by Plasma Enhanced CVD (16th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics)
2025/09/08	高配向Geワイヤ成長における触媒の水素プラズマ処理温度の影響 (第86回応用物理学会秋季学術講演会、8a-N401-6、名城大学)
2025/03/16	プラズマCVDを用いた絶縁基板上の高配向Geワイヤ成長への基板温度の影響 (第72回応用物理学会春季学術講演会、16p-P07-3, 東京理科大学)
2024/09/18	プラズマCVDによる絶縁基板上の高配向 Geワイヤ成長 (第85回応用物理学会秋季学術講演会、18p-P10-1, 朱鷺メッセ)
2017/10/17	Initial oxidation characteristics of air-exposed silicon nitride films grown at low substrate temperature using very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (TACT2017, The 5th International Thin Films Conference, 東華大学)
2017/03/01	有機EL素子の上部Al電極膜作製における低ダメージスパッタ法と蒸着法の比較検討 (パシフィコ横浜)
2017/02/01	IR spectroscopic study during air-exposure of silicon nitride films grown at a low substrate temperature using VHF-PECVD (10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics)
2016/09/01	上部Al電極作製時の基板温度上昇がOLEDの動作特性に与える影響 (朱鷺メッセ)
2016/03/01	ITO陽極からの正孔注入特性改善のためのITOバッファーの検討 (第63回応用物理学会春季学術講演会、 22a-P4-22、東京工業大学)
2015/05/01	In situ IR spectroscopic study during air-exposure of silicon nitride films deposited at a low substrate temperature by PECVD (European Materials Research Society 2015 Spring Meeting)
2014/09/01	VHF-PECVDで形成したSiNx膜中の化学結合経時変化（III) (第75回応用物理学会学術講演会、 18p-PB5-9、北海道大学)
2014/09/01	上部電極膜のスパッタ条件が有機EL素子の動作特性に及ぼす影響 (第75回応用物理学会学術講演会、 17p-A11-13、北海道大学)
2014/03/01	VHF-PECVDで形成したSiNx膜中の化学結合経時変化（II) (第61回応用物理学関係連合講演会、 19a-PA4-8、青山学院大学)
2013/10/01	Chemical Bonding in Silicon Nitride Films Deposited with SiH4 /N2 by Very High-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (AVS-60: American Vacuum Society 60th International Conference and Exhibition)
2013/09/01	VHF-PECVDで形成したSiNx膜中の化学結合経時変化 (第74回応用物理学会学術講演会、 17p-P2-21、同志社大学)
2013/09/01	有機EL素子上部電極膜作製のためのスパッタ成膜法の検討 (第74回応用物理学会学術講演会、 19p-C7-1、同志社大学)
2013/03/01	SiH4＋N2ガスを用いたVHF-PECVD法によるSiNxの膜構造 (第60回応用物理学関係連合講演会、 27p-A7-10、神奈川工科大学)
2013/02/01	Structural information from IR spectroscopy on a-SiNx:H deposited from SiH4 - N2 gas mixture using VHF-PECVD (6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics)
2012/09/01	SiH4＋N2ガスを用いたVHF-PECVD法によるSiNx膜の構造変化 (第73回応用物理学会学術講演会、 12a-E1-6、愛媛大学)
2012/03/01	SiH4＋N2ガスを原料とするVHF-PECVD法によるSiNx低温成膜 (第59回応用物理学関係連合講演会、 16a-A6-6、早稲田大学)
2009/05/01	Effect of isochronal hydrogen annealing on surface roughness and threading dislocation density of epitaxial Ge films grown on Si (6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures)
2008/09/01	Reduction in surface roughness of epitaxial Ge on Si by hydrogen annealing (4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics)
2006/07/01	Deposition of Luminescent a-SiNx:H Films with SiH4 - N2 Gas Mixture by VHF-PECVD Using Novel Impedance Matching Method (International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications)